
پایان نامه : بررسی پدیده شکست در پیوندهای P-N
مباحثی که در این پایان نامه مطرح شده عبارتند از:
چکیده:
در این پایان نامه نخست دلایل فیزیکی پدیده شکست در پیوندهای P-N و راههای بهبود آن مورد بررسی قرار گرفته و سپس روشهای بدست آوردن ولتاژ شکست بیان شده است، در ادامه به بررسی دیودهای ساخته شده درآزمایشگاه نیمه هادی و میکروتکنولوژی پرداخته ایم و به نتایجی از جمله چگونگی تاثیر شکل پنجره نفوذ، مدت زمان نفوذ ، کیفیت سطح نفوذ و استفاده از حلقه محافظتی بر ولتاژ شکست دست یافتیم . در پایان اثر میدان مغناطیسی بر ولتاژ شکست و جریان نشتی در پیوندهای P-N مورد ارزیابی قرار داده شده است که ما را به این موضوع می رساند که چگونه میدان مغناطیسی می تواند در افزایش ولتاژ شکست اثر بگذارد و برای این اثر چه شرایطی مورد نیاز است.
فهرست مطالب :
فصل 1- مقدمه
فصل 2- بررسی فیزیکی شکست در پیوند p-n و راههای بهبود آن
1-2 دلایل شکست
1-1-2 اثر دمایی
2-1-2 اثر زنری
3-1-2 اثر بهمنی
p-n 2-2 بهبود شکست در پیوند های
1-2-2 روکش زدن در سطح Passivation) )
2-2-2 استفاده از حلقه حفاظتی Guard ring) )
3-2-2 اریب کردن Beveling) )
فصل 3 - بدست آوردن ولتاژ شکست برای یک پیوند p-n
1-3 استفاده از مشخصه ولتاژ-جریان دیود
1-1-3 طرح مدار
2-3 استفاده از خاصیت افزایش ناگهانی جریان در محل شکست
1-2-3 طرح مدار
فصل 4- بررسی شکست در دیودهای ساخته شده در آزمایشگاه
1-4 دیودهای سری یک
2-4 دیودهای سری دو
فصل 5 - بررسی اثر میدان مغناطیسی بر روی شکست بهمنی و جریان نشتی در نیمه رسانا
1-5 بدست آوردن معادلات لازم
2-5 حل معادلات بدست آمده
3-5 جمع بندی
فصل 6 - خلاصه و نتیجه گیری
مراجع
خلاصه انگلیسی (Abstract)
فهرست شکلها
فهرست جدولها
***************************************************************************************
در صورت تمایل
به دریافت فایل فوق در مدت 10 دقیقه ، لطفاً اینجا کلیک
کنید
***************************************************************************************
مشاوره ؛نگارش پایان نامه ؛ مقاله + شبیه سازی
در تمام مقاطع دانشگاهی پذیرفته می شود
در صورت
تمایل می توانید عنوان و جزئیات پروژه خود را در قسمت نظرات این پست
اعلام فرمایید. ضمنا می توانید اطلاعات درخواستی خود را به ایمیل یا تلگرام
نمایید
ایمیل :
com.dr@yahoo.com
درباره :
P - N پیوند ,
|